2021年10月21日

SK海力士,利用EUV开始批量生产'第四代10纳米'DRAM

기사입력 : 2021-07-12 17:12

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SK海力士利用EUV批量生产的10纳米级第四代DRAM。照片=SK海力士提供


在全球DRAM市场上排名第二的SK海力士,开始利用EUV(极紫外线)设备,通过超微细加工技术批量生产第四代10纳米DRAM。

12日,SK海力士表示,采用'第四代10纳米(1a)'微细加工技术的8Gb LPDDR4 手机DRAM,已从本月初开始投入批量生产。

半导体行业对进入细微加工技术阶段的DRAM产品,从电路宽度10纳米级开始,按出产年度贴上英文字母,并以简称标记。第一代被称作'1x',第二代被称作'1y',第三代被称作'1z'。

目前,堪称最进步阶段的第四代是'1a',是SK海力士首次在DRAM生产阶段,采用了EUV工艺。

EUV(Extreme Ultraviolet)的特点是,在半导体核心工艺之一的'光刻'过程中,利用了低于现有氟化氩(ArF)光源14分之1的极紫外线,实现了薄而细致的电路模式。

SK海力士的有关人士介绍说,在第二代10纳米产品的生产过程中,引进了部分EUV设备,确认了其稳定性。

今后,SK海力士将在所有1a DRAM的生产过程中,采用EUV技术。对于去年10月在业界首次推出的新一代DRAM DDR5产品,将从2022年初开始采用该技术。

如果采用EUV,可提高成本价格的竞争力,也会有助于收益性的提高。在以同样大小的晶片中,1a DRAM与第三代产品相比,可生产的DRAM成品数量将增加25%左右。

今年2月,SK海力士与在全球唯一生产EUV设备的荷兰半导体设备企业ASML,签署了引进设备的合同,合同期限为5年。

总合同规模达到了4兆7549亿韩元。据悉,每台EUV设备的平均价格为2000亿韩元,因此SK海力士将在5年内,引进20台以上的EUV设备。


全球经济新闻 记者 韩贤珠