2021年07月30日

三星电子开发出,行业首个以CXL为基础的新一代DRAM内存技术

기사입력 : 2021-05-12 09:32

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三星电子开发出,行业首个以"Compute Express Link(以下简称CXL)"为基础的DRAM内存技术。照片=三星电子提供,禁止转售及DB


11日,三星电子表示,开发出行业首个以"Compute Express Link(以下简称CXL)"为基础的DRAM内存技术。

三星电子通过开发大容量和高带宽的DRAM技术,确保了新一代半导体技术领导能力,且能够划时代地改善人工智能、机器学习、大数据等数据中心的性能。

三星电子在英特尔的平台上完成了此次开发的以CXL为基础的DRAM内存的验证,确保了新一代数据中心要求的大容量DRAM解决方案的基础技术,并正在与全球主要数据中心和云企业扩大合作。

最近,随着利用人工智能(AI)及大数据的应用领域的增加,需要处理的数据量也正在爆增。

但是,目前在数据中心和服务器平台上使用的现有DDR接口,由于能够在系统上安装的DRAM容量有限,因此一直要求能够解决这一局限性的新方案。

为了更有效地利用在高性能计算系统中与CPU共同使用的加速器、内存、储存装置等,而提出的新接口,可以解决现有计算系统的存储器容量的物理局限,能够大幅增加DRAM的容量。

三星电子首次将适用于大容量SSD的EDSFF(Enterprise & Data Center SSD Form Factor)外型采用在了CXL DRAM内存上,CXL DRAM内存可以与现有系统的主要DRAM内存共存,并可以将系统的存储器容量扩大到TB级。

目前的DRAM内存的控制器只起到了临时储存数据的缓冲作用。但是三星电子在CXL DRAM内存上,嫁接了最尖端的控制器技术,使顾客能够在人工智能、机器学习、内存数据库等,使用大型数据的领域积极地利用CXL DRAM内存。

CXL DRAM的控制器可兼容计算系统可以同时使用不同接口的DDR DRAM和CXL DRAM。支持“存储器映射”,“接口整合”技术,最小化系统错误,并提高数据可信度的“错误管理”等。


全球经济新闻 记者 韩贤珠